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參數(shù)資料
| 型號： | W25Q32BVSFIG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16 |
| 封裝： | 0.300 INCH, GREEN, SOIC-16 |
| 文件頁數(shù)： | 65/79頁 |
| 文件大小： | 1090K |
| 代理商： | W25Q32BVSFIG |
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W25Q32BV
- 68 -
8.7 AC Electrical Characteristics (cont’d)
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
SPEC
UNIT
MIN
TYP
MAX
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
tCHHH
5
ns
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
tHHCH
5
ns
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
tCHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
tHHQX(2)
tLZ
7
ns
/HOLD to Output High-Z
tHLQZ(2)
tHZ
12
ns
Write Protect Setup Time Before /CS Low
tWHSL(3)
20
ns
Write Protect Hold Time After /CS High
tSHWL(3)
100
ns
/CS High to Power-down Mode
tDP(2)
3
s
/CS High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
tRES1(2)
3
s
/CS High to Standby Mode with Electronic Signature
Read
tRES2(2)
1.8
s
/CS High to next Instruction after Suspend
tSUS(2)
20
s
Write Status Register Time
tW
10
15
ms
Byte Program Time (First Byte) (4)
tBP1
20
50
s
Additional Byte Program Time (After First Byte) (4)
tBP2
2.5
12
s
Page Program Time
tPP
0.7
3
ms
Sector Erase Time (4KB)
tSE
30
200/400(5)
ms
Block Erase Time (32KB)
tBE1
120
800
ms
Block Erase Time (64KB)
tBE2
150
1,000
ms
Chip Erase Time
tCE
7
15
s
Notes:
1.
Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/fC.
2.
Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3.
Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when SRP[1:0]=(0,1).
4.
For multiple bytes after first byte within a page,
tBPN = tBP1 + tBP2 * N (typical) and tBPN = tBP1 + tBP2 * N (max), where N =
number of bytes programmed.
5.
Max Value tSE with <50K cycles is 200ms and >50K & <100K cycles is 400ms.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG6466S335BD4S | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| WEDF1M32B-70G2UC5A | 1M X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 70 ns, CQFP68 |
| WE128K32P-140G2TI | 128K X 32 EEPROM 5V MODULE, 125 ns, CQFP68 |
| WE128K32P-150G2TQA | 128K X 32 EEPROM 5V MODULE, 125 ns, CQFP68 |
| W7NCF01GH31IS6BG | 64M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25Q32BVSFIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVSSAG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVSSAP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVSSIG | 功能描述:IC SPI FLASH 32MBIT 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W25Q32BVSSIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SPIFLASH, 32M-BIT, 4KB UNIFORM |
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