參數(shù)資料
型號： VP2020L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 200-V (D-S) MOSFETs
中文描述： P通道200 -五（副）的MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 52K
代理商： VP2020L
VP2020L, BSS92
Vishay Siliconix
www.vishay.com
11-4
Document Number: 70210
S-04279
—
Rev. E, 16-Jun-01
10 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1
0.01
0.1
0.01
0.1
1.0
100
10
1 K
–
10
–
100
–
1000
100
10
1
120
100
80
0
0
–
10
–
50
60
40
–
20
–
30
–
40
20
Threshold Region
Capacitance
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA)
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
N
T
t
1
–
Square Wave Pulse Duration (sec)
I
D
–
Drain Current (A)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
55 C
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DD
=
–
25 V
R
G
= 25
V
GS
= 0 to
–
10 V
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
T
J
= 150 C
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
–
12
–
10
–
8
0
0
0.5
2.5
–
6
–
4
1.0
1.5
2.0
–
2
I
D
=
–
0.1 A
V
DS
=
–
100 V
–
160 V
–
10.0
–
1.0
–
0.01
0
–
3.5
–
0.1
–
1.0
–
2.0
–
3.0
V
DS
=
–
5 V
125 C
25 C
V
= 0 V
f = 1 MHz
I
D
–
C
–
V
G
–
t
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VP2020L P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-200V，夾斷電流-0.12A的P溝道增強型MOSFET晶體管)
VP2104N3 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | TO-92
VP2104ND TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | CHIP
VP2106 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-60V,12Ω，P溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管)
VP2106 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
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參數(shù)描述
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VP2-0216-R 功能描述:固定電感器 10.6uH 0.76A 0.09ohms RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
VP2-0216-R 制造商:Cooper Bussmann / Coiltronics 功能描述:INDUCTOR
VP2-0216-R 制造商:Cooper Bussmann / Coiltronics 功能描述:INDUCTOR
VP2029A-V 制造商:BOTHHAND 制造商全稱:Bothhand USA, LP. 功能描述:10/100 BASE-T TRANSFOREMR
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