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參數(shù)資料
| 型號： | VP2104N3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 40V的五（巴西）直資|到92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 256K |
| 代理商： | VP2104N3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VP2104ND | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | CHIP |
| VP2106 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓-60V,12Ω，P溝道增強型垂直DMOS結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管) |
| VP2106 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| VP2106N3 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| VP2204N2 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-39 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VP2104ND | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | CHIP |
| VP2106 | 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| VP2106N3 | 功能描述:MOSFET 60V 12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VP2106N3-G | 功能描述:MOSFET 60V 12Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VP2106N3-G P002 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
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