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參數(shù)資料
| 型號： | VMM85-02F |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 200V V(BR)DSS | 83A I(D) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET功率模塊|半橋| 200伏五（巴西）直|第83A條（?。?/td> |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 80K |
| 代理商： | VMM85-02F |
2000 IXYS All rights reserved
C3 - 21
VMM 85-02F
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
D=0.02
D=0.05
D = single pulse
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
s
K/W
Z
thJK
0
100
200
300
400
0
2
4
6
8
10
V
Q
g
nC
V
DS
= 100 V
I
D
= 40 A
I
G
= 2 mA
V
GS
I
D
1
10
100
1000
1
10
100
1000
Limited by R
DS(on)
t = 100 ms
t = 10 ms
t = 1 ms
V
DS
V
0
20
40
60
80
100
I
D
120
0
20
40
60
80
100
t
s
g
fs
A
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
V
SD
1.50
0
50
100
150
200
V
A
0
5
10
15
20
25
0.1
1
10
100
nF
I
S
Ciss
V
DS
V
C
A
non-repetitive
T
= 150
°
C
T
K
= 25
°
C
Crss
Coss
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Fig. 7 Typical turn-on gate charge characteristics
Fig. 8 Forward Safe Operating Area, I
D
= f (V
DS
)
Fig. 9 Typical capacitances C = f (V
DS
), f = 1 MHz
Fig. 10 Typical forward characteristics of reverse
diode, I
S
= f (V
SD
)
Fig. 11 Typical transconductance g
fs
= f (I
D
)
Fig. 12 Transient thermal resistance Z
thJK
= f (t
p
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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