參數(shù)資料
型號(hào): VG26VS17405DT-5
廠商: VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24
封裝: 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
文件頁(yè)數(shù): 9/27頁(yè)
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代理商: VG26VS17405DT-5
Document:1G5-0124
Rev.1
Page 17
VIS VG26(V)(S)17405
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
Delayed Write Cycle
t
RC
t
RAS
t
RP
tRWL
t
RCS
t
CAS
t
RSH
t
RCD
t
T
t
CSH
RAS
CAS
t
ASR
t
RAH
t
CAH
ADDRESS
Column
Row
t
ASC
DIN
DQ1~DQ4
WE
t
CRP
t
CPN
t
DH
t
DS
tOEH
t
OED
OE
t
DS
OPEN
tWP
t CWL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VG26VS17405J-5 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24
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VG36128161BT-7H 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
VG36128161BFL-7L 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54
VG95234E32-5P1X 2 CONTACT(S), ALUMINUM ALLOY, MALE, MIL SERIES CONNECTOR, CLAMP AND CRIMP, PLUG
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