參數(shù)資料
型號(hào)： VG26VS17405DT-5
廠商： VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
文件頁(yè)數(shù)： 26/27頁(yè)
文件大小： 253K
代理商： VG26VS17405DT-5
Document:1G5-0124
Rev.1
Page 8
VIS VG26(V)(S)17405
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
DC Characteristics ; 3.3 - Volt Version
(Ta = 0 to 70°C, VCC = + 3.3V
%, VSS = 0V)
Parameter
Symbol
Test Conditions
VG26(V)(S)17405
Unit
Notes
-5
-6
Min
Max
Min
Max
Operating current
ICC1
RAS cycling
CAS, cycling
tRC = min
-
120
-
110
mA
1, 2
Standby
Current
LOW
power
S-version
ICC2
LVTTL interface
RAS, CAS = VIH
Dout = High-Z
-
0.5
-
0.5
mA
CMOS interface
RAS,
-0.2V
Dout = High-Z
-
0.15
-
0.15
mA
Standard
power
version
LVTTL interface
RAS, CAS = VIH
Dout = High-Z
-
2
-
2
mA
CMOS interface
RAS,
-0.2V
Dout = High-Z
-
0.5
-
0.5
mA
RAS- only refresh current
ICC3
RAS cycling, CAS = VIH
tRC = min
-
120
-
110
mA
1, 2
EDO page mode current
ICC4
tPC = min
-
90
-
80
mA
1, 3
CAS- before- RAS refresh
current
ICC5
tRC = min
RAS, CAS cycling
-
120
-
110
mA
1, 2
Self- refresh current
(S-Version)
ICC8
-
250
-
250
CAS- before- RAS long
refresh current
(S-Version)
ICC9
Standby: VCC-
CAS before RAS refresh:
2048 cycles / 128ms
RAS, CAS:
VCC-
(max)
Dout = High-Z,
-
300
-
300
10
±
CASV
CC
≥
CASV
CC
≥
t
RASS
100
s
≥
A
0.2V
RAS
≤
0VV
IL
0.2V
≤≤
0.2VV
IH
V
IH
≤≤
t
RAS
300ns
≤
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VG26VS17405J-5 4M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO24
VG36128161BFL-7H 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54
VG36128161BT-7H 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
VG36128161BFL-7L 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54
VG95234E32-5P1X 2 CONTACT(S), ALUMINUM ALLOY, MALE, MIL SERIES CONNECTOR, CLAMP AND CRIMP, PLUG
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VG26VS17405DT-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS17405EJ-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS17405EJ-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS17405ET-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
VG26VS17405ET-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
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