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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V53C8258L |
| 廠商： | Mosel Vitelic, Corp. |
| 英文描述： | Ultra-High Speed,3.3 Volt 256K x 8 Bit EDO Page Mode CMOS Dynamic RAM(3.3V超高速256Kx8EDO頁(yè)面模式CMOS動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 超高速，3.3伏特256K × 8位EDO公司頁(yè)面模式的CMOS動(dòng)態(tài)RAM（3.3超高速256Kx8EDO頁(yè)面模式的CMOS動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 144K |
| 代理商： | V53C8258L |
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MOSEL V ITELIC
V53C8258L
3
V53C8258L Rev. 1.4 February 1999
Absolute Maximum Ratings*
Ambient Temperature
Under Bias................................ –10
Storage Temperature (plastic)..... –55
Voltage Relative to V
Data Output Current .....................................50 mA
Power Dissipation..........................................1.0 W
°
C to +125
C to +80
°
°
C
C
°
SS
.................–1.0 V to +4.6 V
*Note:
Operation above Absolute Maximum Ratings can
adversely affect device reliability.
Capacitance*
T
A
= 25
°
C, V
CC
= 3.3V
±
0.3V, V
SS
= 0 V
*Note:
Capacitance is sampled and not 100% tested
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
C
IN1
Address Input
3
4
pF
C
IN2
RAS, CAS, WB/WE,
BE/OE
4
5
pF
C
OUT
Data Input/Output
5
7
pF
Block Diagram
A0
A1
A7
A8
SENSE AMPLIFIERS
REFRESH
COUNTER
VCC
VSS
9
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
A
A
R
D
512
MEMORY
ARRAY
COLUMN DECODERS
DATA I/O BUS
Y0–Y8
X0–X8
512 x 8
I/O
BUFFER
OE CLOCK
GENERATOR
WE CLOCK
GENERATOR
CAS CLOCK
GENERATOR
RAS CLOCK
GENERATOR
OE
8258L-05
256K x 8
WE
CAS
RAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V53C832H | High Performance 256K X 32 EDO Page Mode CMOS Dynamic RAM(高性能256Kx32EDO頁(yè)面模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| V53C832L | HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 32 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM |
| V53C832L30 | HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 32 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM |
| V53C832L35 | HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 32 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM |
| V53C832L40 | HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 32 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V53C864K10L | 制造商:VITELIC 功能描述: |
| V53C864K80L | 制造商:VITELIC 功能描述: |
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