參數(shù)資料
型號： TSM2N60CZ
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 600V N-Channel Power MOSFET
中文描述： 600V的N溝道功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 387K
代理商： TSM2N60CZ
TSM2N60
600V N-Channel Power MOSFET
7/8
Version: A07
TO-220 Mechanical Drawing
Marking Diagram
Y
M
= Month Code
(
A
=Jan,
B
=Feb,
C
=Mar,
D
=Apl,
E
=May,
F
=Jun,
G
=Jul,
H
=Aug,
I
=Sep,
J
=Oct,
K
=Nov,
L
=Dec)
L
= Lot Code
= Year Code
TO-220 DIMENSION
MILLIMETERS
MIN
MAX
10.000
10.500
3.740
3.910
2.440
2.940
-
6.350
0.381
1.106
2.345
2.715
4.690
5.430
12.700
14.732
14.224
16.510
3.556
4.826
0.508
1.397
27.700
29.620
2.032
2.921
0.255
0.610
5.842
6.858
INCHES
MIN
0.394
0.147
0.096
-
0.015
0.092
0.092
0.500
0.560
0.140
0.020
1.060
0.080
0.010
0.230
DIM
MAX
0.413
0.154
0.116
0.250
0.040
0.058
0.107
0.581
0.650
0.190
0.055
1.230
0.115
0.024
0.270
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM2N60 N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET
TSM2N60CH N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET
TSM2N60CP N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET
TSM2N7000CT 60V N-Channel MOSFET
TSM2N7000 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TSM2N60SCW 功能描述:MOSFET 600V 2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7000CT 功能描述:MOSFET 60V 0.2A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7000CT A3 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
TSM2N7000KCT 功能描述:MOSFET 60V 0.2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7000KCT A3 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Ammo 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
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