參數(shù)資料
型號(hào): TSM2N60CP
廠商: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述: N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述: N通道功率增強(qiáng)型MOS管
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 211K
代理商: TSM2N60CP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM2N7000CT 60V N-Channel MOSFET
TSM2N7000 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM2N7000CTA3 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM2N7000CTB0 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM2N7002EDCU6 50V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TSM2N60CP R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
TSM2N60CZ 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:
TSM2N60SCW 功能描述:MOSFET 600V 2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7000CT 功能描述:MOSFET 60V 0.2A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7000CT A3 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo