參數資料
型號： TSM2N60CZ
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 600V N-Channel Power MOSFET
中文描述： 600V的N溝道功率MOSFET
文件頁數： 3/8頁
文件大?。?/td> 387K
代理商： TSM2N60CZ
TSM2N60
600V N-Channel Power MOSFET
Electrical Characteristics Curve
(Ta = 25
o
C, unless otherwise noted)
3/8
Version: A07
Output Characteristics
Transfer Characteristics
On-Resistance vs. Drain Current
Gate Charge
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
相關PDF資料
PDF描述
TSM2N60 N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET
TSM2N60CH N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET
TSM2N60CP N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET
TSM2N7000CT 60V N-Channel MOSFET
TSM2N7000 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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TSM2N7000CT 功能描述:MOSFET 60V 0.2A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7000CT A3 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
TSM2N7000KCT 功能描述:MOSFET 60V 0.2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7000KCT A3 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Ammo 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
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