參數(shù)資料
型號： TSM2N60CZ
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： 600V N-Channel Power MOSFET
中文描述： 600V的N溝道功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 387K
代理商： TSM2N60CZ
TSM2N60
600V N-Channel Power MOSFET
6/8
Version: A07
SOT-251 Mechanical Drawing
Marking Diagram
Y
M
= Month Code
(
A
=Jan,
B
=Feb,
C
=Mar,
D
=Apl,
E
=May,
F
=Jun,
G
=Jul,
H
=Aug,
I
=Sep,
J
=Oct,
K
=Nov,
L
=Dec)
L
= Lot Code
= Year Code
TO-251 DIMENSION
MILLIMETERS
MIN
MAX
2.20
2.40
1.10
1.30
0.55
0.75
0.48
0.58
6.50
7.00
5.50
5.70
6.40
6.60
5.20
5.40
2.25
2.35
0.48
0.58
7.80
8.20
1.00
1.30
INCHES
MIN
0.087
0.043
0.022
0.019
0.256
0.217
0.252
0.205
0.089
0.019
0.307
0.039
DIM
MAX
0.094
0.051
0.030
0.023
0.276
0.224
0.260
0.213
0.093
0.023
0.323
0.051
A
A1
b
C
D
D1
E
E1
e
F
L
L1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TSM2N60 N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET
TSM2N60CH N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET
TSM2N60CP N CHANNEL POWER ENHANCEMENT MODE MOSFET
TSM2N7000CT 60V N-Channel MOSFET
TSM2N7000 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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參數(shù)描述
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TSM2N7000CT 功能描述:MOSFET 60V 0.2A 0.35W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7000CT A3 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
TSM2N7000KCT 功能描述:MOSFET 60V 0.2Amp N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM2N7000KCT A3 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Ammo 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
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