參數(shù)資料
型號(hào)： SUD50N03-09P
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel MOSFET, 30 V(D-S)
中文描述： N溝道MOSFET，30V（D-S）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： SUD50N03-09P
SUD50N03-09P
Vishay Siliconix
Document Number: 71856
S-40573—Rev. E, 29-Mar-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
2
4
6
8
10
0
6
12
18
24
30
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
5
10
15
20
25
30
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
r
Q
g
Total Gate Charge (nC)
I
D
Drain Current (A)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
)
g
V
DS
= 15 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
C
rss
T
C
=
55 C
25 C
125 C
C
iss
I
D
Drain Current (A)
C
oss
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
Junction Temperature ( C)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
I
100
1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
0
10
r
D
(
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PDF描述
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參數(shù)描述
SUD50N03-09P-E3 功能描述:MOSFET 30V 63A 65.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUD50N03-09P-E3/BKN 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
SUD50N03-09P-GE3 功能描述:MOSFET 30V 63A 65.2W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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