參數(shù)資料
型號: STW9NA60
廠商: 意法半導體
英文描述: N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
中文描述: N溝道增強模式快速功率MOS晶體管(不適用溝道增強模式快速功率MOSFET的)
文件頁數(shù): 9/10頁
文件大小: 123K
代理商: STW9NA60
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
5.35
5.65
0.210
0.222
C
D
3.3
2.9
3.8
3.1
0.130
0.114
0.149
0.122
D1
1.88
2.08
0.074
0.081
E
0.75
1
0.029
0.039
F
1.05
1.25
0.041
0.049
G
10.8
11.2
0.425
0.441
H
15.8
16.2
0.622
0.637
L1
20.8
21.2
0.818
0.834
L2
19.1
19.9
0.752
0.783
L3
L4
22.8
40.5
23.6
42.5
0.897
1.594
0.929
1.673
L5
4.85
5.25
0.190
0.206
L6
20.25
20.75
0.797
0.817
M
3.5
3.7
0.137
0.145
N
2.1
2.3
0.082
0.090
U
4.6
0.181
L1
A
C
D
E
H
G
M
F
L6
1
2
3
U
L5
L4
D
N
L3
L2
P025C
ISOWATT218MECHANICAL DATA
STW9NA60-STH9NA60FI
9/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW9NA80 N-Channel 800V-0.85Ω-9.1A - TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOS Transistor(N溝道快速功率MOS晶體管)
STW9NB80 N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW9NB90 N-CHANNEL 900V - 0.85ohm - 9.7A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW9NC70Z N-CHANNEL 700V - 0.90 ohm - 7.5A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW9NC80Z N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 9.4A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW9NA80 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STW9NB80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW9NB90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW9NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.90 ohm - 7.5A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW9NC80Z 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube