參數(shù)資料
型號(hào)： STW9NA60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大小： 123K
代理商： STW9NA60
Turn-on CurrentSlope
Cross-overTime
AccidentalOverloadArea
Turn-off Drain-sourceVoltage Slope
Switching Safe Operating Area
Source-drainDiode Forward Characteristics
STW9NA60-STH9NA60FI
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW9NA80 N-Channel 800V-0.85Ω-9.1A - TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道快速功率ＭＯＳ晶體管)
STW9NB80 N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW9NB90 N-CHANNEL 900V - 0.85ohm - 9.7A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW9NC70Z N-CHANNEL 700V - 0.90 ohm - 7.5A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW9NC80Z N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 9.4A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW9NA80 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STW9NB80 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW9NB90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW9NC70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 700V - 0.90 ohm - 7.5A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW9NC80Z 功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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