參數(shù)資料
型號： STW38NB20
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強模式MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 74K
代理商： STW38NB20
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 100 V I
D
= 19 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 160 V I
D
= 38 A V
GS
= 10 V
35
40
47
55
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
70
22
35
95
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 160 V I
D
= 38 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
18
22
42
24
30
57
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
38
152
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 38 A V
GS
= 0
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 38 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 50 V T
j
= 150
C
350
2.3
13
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STW38NB20
3/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW4N150 N-CHANNEL 1500V - 5 - 4A TO-220/TO-247 Very High Voltage PowerMESH MOSFET
STP4N150 N-CHANNEL 1500V - 5 - 4A TO-220/TO-247 Very High Voltage PowerMESH MOSFET
STW6NA90 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOS晶體管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STW3C2N 制造商:DIALIGHT 制造商全稱:Dialight Corporation 功能描述:DuroSite? LED Area Light
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