參數(shù)資料
型號： STW38NB20
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強(qiáng)模式MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/5頁
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代理商： STW38NB20
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
0.69
30
0.1
300
o
C/W
o
C/W
o
C/W
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
38
A
E
AS
550
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
200
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 125
o
C
V
GS
=
±
30 V
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
3
4
5
V
R
DS(on)
V
GS
= 10 V I
D
= 19 A
0.052
0.065
I
D(on)
V
GS
= 10 V
38
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 19 A
10
19
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0
2800
750
100
3800
1000
140
pF
pF
pF
STW38NB20
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW4N150 N-CHANNEL 1500V - 5 - 4A TO-220/TO-247 Very High Voltage PowerMESH MOSFET
STP4N150 N-CHANNEL 1500V - 5 - 4A TO-220/TO-247 Very High Voltage PowerMESH MOSFET
STW6NA90 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管)
STW6NB100 N - CHANNEL 1000V - 2.3ohm - 5.4A - TO-247 PowerMESH MOSFET
STW6NB90 N - CHANNEL 900V - 1.7ohm - 6.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW38NB20 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-247
STW3C2N 制造商:DIALIGHT 制造商全稱:Dialight Corporation 功能描述:DuroSite? LED Area Light
STW3N150 功能描述:MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW3N170 功能描述:N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2. 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STW40100C 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 20A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1mA @ 100V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
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