參數(shù)資料
型號： STW6NB90
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL 900V - 1.7ohm - 6.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
中文描述： ? -頻道900V - 1.7ohm - 6.3A -對MOSFET的247 PowerMESH
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： STW6NB90
STW6NB90
N - CHANNEL 900V - 1.7
- 6.3A - TO-247
PowerMESH
MOSFET
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 1.7
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
I
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, STMicroelectronics has designed an
advanced family of power MOSFETs with
outstanding performances. The new patent
pending strip layout coupled with the Company’s
proprietary edge termination structure, gives the
lowest R
DS(on)
per area, exceptional avalanche
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge
and switching characteristics.
APPLICATIONS
I
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
I
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
February 1999
1
2
3
TO-247
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
tot
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
900
V
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
900
±
30
6.3
V
V
A
4
A
25
A
160
W
Derating Factor
1.28
W/
o
C
dv/dt(
1
)
Peak Diode Recovery voltage slope
4
V/ns
o
C
o
C
T
stg
T
j
Storage Temperature
-65 to 150
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area (
1
) I
SD
≤
6A, di/dt
≤
200 A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, Tj
≤
T
JMAX
150
TYPE
V
DSS
900 V
R
DS(on)
< 2
I
D
STW6NB90
6.3 A
1/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW6NC90Z N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW6NC90 N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW9NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STW9NA80 N-Channel 800V-0.85Ω-9.1A - TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOS Transistor(Ｎ溝道快速功率ＭＯＳ晶體管)
STW9NB80 N-CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW6NC90 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW6NC90Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STW6NK70Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 700V - 1.5Ω - 5A - TO-220/TO-220FP Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET
STW70N10F4 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW70N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:66A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:121nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5508pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*