參數(shù)資料
型號： STW6NB90
廠商： 意法半導體
英文描述： N - CHANNEL 900V - 1.7ohm - 6.3A - TO-247 PowerMESH MOSFET
中文描述： ? -頻道900V - 1.7ohm - 6.3A -對MOSFET的247 PowerMESH
文件頁數(shù)： 2/5頁
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代理商： STW6NB90
THERMAL DATA
R
thj-case
Rthj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
0.78
30
0.1
300
o
C/W
oC/W
o
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
6.3
A
E
AS
700
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
900
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 100
o
C
1
50
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±
30 V
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
3
4
5
V
R
DS(on)
V
GS
= 10V I
D
=3 A
1.7
2
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
6.3
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 3 A
1.5
6
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0
1400
160
18
pF
pF
pF
STW6NB90
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相關PDF資料
PDF描述
STW6NC90Z N-CHANNEL 900V - 2.1ohm - 5.2A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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