參數(shù)資料
型號： STS1C1S250
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 250V - 0.9Ohm - 0.75A SO-8 P-CHANNEL 250V - 2.1Ohm - 0.6A SO-8 MESH OVERLAY POWER MOSFET
中文描述： N溝道250V - 0.9Ohm - 0.75A的SO - 8 P溝道250V - 2.1Ohm - 0.6A的SO - 8封裝功率MOSFET網(wǎng)格密胺
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代理商： STS1C1S250
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STS1C1S250
Norm. Gate Thereshold Voltage vs Temp n-ch
Norm. On Resistance vs Temperature n-ch
Source-drainDiodeForwardCharacteristicsn-ch
Capacitance Variations n-ch
Gate Charge vs Gate-source Voltage n-ch
Normalized BVDSS vs Temperature n-ch
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS2309A P -Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
STS2320 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
STS25NH3LL N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 25A SO-8 STripFET⑩ III MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
STS2DNE60 N-Channel 60V-0.180Ω-2A SO-8 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STS2DNF30L N-CHANNEL 30V - 0.09 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STS1DN45K3 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 450V 0.5A 3.2 ohm SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS1DNC45 功能描述:MOSFET N-Ch 450 Volt 0.4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS1DNF20 功能描述:MOSFET N-Ch Mosfet APM Power Mosfet SO 08 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS1FRM 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Telecomm/Datacomm
STS1HNC60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 7ohm - 0.4A SO-8 PowerMesh⑩II MOSFET
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