參數(shù)資料
型號： STP35NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.030ohm - 40A至- 220 / D2PAK封裝，低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 8/10頁
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代理商： STP35NF10
STP35NF10 - STB35NF10
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1
DIM.
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inch
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TYP
MAX.
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TYP.
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A
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C
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8
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10
10.4
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E1
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R
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0o
8o
D
2
PAK MECHANICAL DATA
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB3NA60-1 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB3NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB3NA80T4 Resettable Fuse; Series:1210L; Thermistor Type:PTC; Operating Voltage Max:6VDC; Holding Current:0.35A; Tripping Current:0.7A; External Depth:0.85mm; Length:3.43mm; Initial Resistance Min:0.32ohm; Initial Resistance Max:1.3ohm RoHS Compliant: Yes
STB3NB60 N - CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3.3A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET
STB3NC90 N-CHANNEL 900V - 3.2W - 3.5A D2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP360N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:17930pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP36N05L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP36N05LFI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP36N06 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 60V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP36N06FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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