參數(shù)資料
型號(hào)： STP35NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.030ohm - 40A至- 220 / D2PAK封裝，低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大小： 466K
代理商： STP35NF10
STP35NF10 - STB35NF10
2/10
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE = 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
C
rss
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
1.30
62.5
°C/W
°C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
100
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
10
μA
V
GS
= ±20V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 17.5 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
Static Drain-source On
Resistance
0.030
0.035
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 15V
,
I
D
= 17.5 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
20
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
1550
pF
Output Capacitance
220
pF
Reverse Transfer
Capacitance
95
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB3NA60-1 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB3NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB3NA80T4 Resettable Fuse; Series:1210L; Thermistor Type:PTC; Operating Voltage Max:6VDC; Holding Current:0.35A; Tripping Current:0.7A; External Depth:0.85mm; Length:3.43mm; Initial Resistance Min:0.32ohm; Initial Resistance Max:1.3ohm RoHS Compliant: Yes
STB3NB60 N - CHANNEL 600V - 3.3ohm - 3.3A - D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET
STB3NC90 N-CHANNEL 900V - 3.2W - 3.5A D2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP360N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.8 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:340nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:17930pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP36N05L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP36N05LFI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP36N06 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 60V 18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP36N06FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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