參數(shù)資料
型號(hào): STP1081ABGA-150
元件分類: 微控制器/微處理器
英文描述: SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA256
封裝: PLASTIC, BGA-256
文件頁(yè)數(shù): 19/32頁(yè)
文件大小: 478K
代理商: STP1081ABGA-150
26
STP1081
Preliminary
Companion Device for 250/300 MHz UltraSPARC-II Systems
UltraSPARC
-II Data Buffer (UDB-II)
July 1997
1. See the Waveform Diagrams which follow (
2. Included for completeness. These are initialization signals.
1. There is only one ground plane. See
Figure 15 for loop lter information.
Output Propagation Delay and Hold Time Specications
Symbol
Parameter
Waveform
[1]
UDB-II for
150 MHz CPU
UDB-II for
300 MHz CPU
Unit
Min
Max
Min
Max
tp
EDATA[63:0] clock to output delay
2
-
4.46
-
4.07
ns
tp
EDPAR[0:7] clock to output delay
2
-
4.43
-
4.05
ns
tp
UE & CE clock to output delay
2
-
4.46
-
4.06
ns
tp
SYSDATA[63:0] clock to output delay
2
-
4.81
-
4.34
ns
tp
SYSECC[7:0] clock to output delay
2
-
4.44
-
4.05
ns
tp
EBUS_CLKOUT clock to output delay
2
-
[2]
--
ns
tp
SYS_CLKOUT clock to output delay
2
-
--
ns
toh
EDATA[63:0] output hold time
2
1.48
-
1.28
-
ns
toh
EDPAR[7:0] output hold time
2
1.53
-
1.32
-
ns
toh
UE & CE output hold time
2
1.47
-
1.27
-
ns
toh
SYSDATA[63:0] output hold time
2
1.88
-
1.6
-
ns
toh
SYSECC[7:0] output hold time
2
1.88
-
1.26
-
ns
toh
EBUS_CLKOUT output hold time
2
-
--
-ns
toh
SYS_CLKOUT output hold time
2
-
--
-ns
Load Board Power Supplies
[1]
Power Supply
Bypass Capacitor and EMI Filter Information
Core Power Supply
8 uF
Output_2.6V Power Supply
10.8 uF
Output_3.3V
10.8 uF
DPECLs Power Supply
Jump Wire Connect to Power Supply of Core
First APLL
EMI Filter
Second APLL
EMI Filter
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP1091PGA-75 2M X 1, CACHE CONTROLLER, CPGA376
STP1100BGA-100 32-BIT, 100 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA272
STP2001QFP MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP16
STP2011PGA SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PPGA279
STP2024PQFP 25 MHz, DMA CONTROLLER, PQFP120
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP1091PGA-75 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Cache Controller
STP1091PGA-90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Cache Controller
STP10LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):630 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):427pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP10N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1050V(1.05kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.3 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):21.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):545pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP10N10L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB