參數(shù)資料
型號： STGB20NB41LZ
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
中文描述： N通道鉗位20A條- DPAK封裝IGBT的內(nèi)部鉗位PowerMESH
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 258K
代理商： STGB20NB41LZ
STGB20NB41LZ
4/9
Transconductance
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temp.
Transfer Characteristics
Output Characteristics
Normalized Collector-Emitter On Voltage vs
Temperature
Normalized Collector-Emitter On Voltage vs
Gate-Emitter Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB20NB41LZT4 N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGD6NC60HD N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD6NC60HDT4 N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD7NC60HT4 N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP7NC60H N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB20NB41LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20NC60V 功能描述:IGBT 晶體管 30 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20NC60VT4 功能描述:IGBT 晶體管 30 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20V60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:116nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:40ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STGB20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:116nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*