參數(shù)資料
型號： STGB20NB41LZ
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
中文描述： N通道鉗位20A條- DPAK封裝IGBT的內(nèi)部鉗位PowerMESH
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 258K
代理商： STGB20NB41LZ
STGB20NB41LZ
2/9
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
ECR
Emitter-Collector Voltage
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 25
°
C
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 100
°
C
I
CM
( )
Collector Current (pulsed)
( )
Pulse width limited by safe operating area
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
BV
(CES)
Clamped Voltage
I
C
= 2 mA, V
GE
= 0,
Tc= - 40
°
C
÷
150
°
C
BV
(ECR)
EmitterCollectorBreak-down
Voltage
ON (1)
Symbol
V
GE(th)
V
CE(SAT)
Parameter
Value
Unit
CLAMPED
V
20
V
CLAMPED
V
40
A
20
A
80
A
Eas
Single Pulse Energy Tc = 25
°
C
700
mJ
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
200
W
1.33
W/
°
C
E
SD
T
stg
T
j
ESD (Human Body Model)
8
KV
Storage Temperature
–
55 to 175
°
C
Operating Junction Temperature
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
0.75
62.5
°
C/W
°
C/W
Test Conditions
Min.
382
Typ.
412
Max.
442
Unit
V
I
C
= 75 mA, Tc= 25
°
C
20
28
V
BV
GE
Gate Emitter Break-down
Voltage
I
G
= ± 2 mA
12
14
16
V
I
CES
Collector cut-off Current
(V
GE
= 0)
V
CE
= 15 V, V
GE
= 0 ,T
C
= 150
°
C
V
CE
=200 V, V
GE
= 0 ,T
C
= 150
°
C
V
GE
= ± 10V , V
CE
= 0
10
μA
100
μA
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
± 300
± 660
±
1000
μA
R
GE
Gate Emitter Resistance
10
15
30
K
Parameter
Test Conditions
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA, Tc=25
°
C
V
GE
= 4.5V, I
C
= 10 A, Tc= 25
°
C
V
GE
= 4.5V, I
C
= 20 A, Tc= 25
°
C
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
1
2.4
V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
1.1
1.3
1.8
2.0
V
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB20NB41LZT4 N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGD6NC60HD N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD6NC60HDT4 N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD7NC60HT4 N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP7NC60H N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STGB20NC60V 功能描述:IGBT 晶體管 30 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20NC60VT4 功能描述:IGBT 晶體管 30 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20V60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:116nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:40ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STGB20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:116nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
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