參數(shù)資料
型號： STGB20NB41LZT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
中文描述： N通道鉗位20A條- DPAK封裝IGBT的內(nèi)部鉗位PowerMESH
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 258K
代理商： STGB20NB41LZT4
1/9
April 2004
STGB20NB41LZ
N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK
INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
I
POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN
I
LOW THRESHOLD VOLTAGE
I
LOW ON-VOLTAGE DROP
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURE
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a
patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs, with outstanding
performances. The built in collector-gate zener
exhibits a very precise active clamping while the
gate-emitter zener supplies an ESD protection.
APPLICATIONS
I
AUTOMOTIVE IGNITION
ORDER CODE
PART NUMBER
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGB20NB41LZ
CLAMPED
< 2.0
V
20 A
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGB20NB41LZT4
GB20NB41LZ
D
2
PAK
TAPE & REEL
1
3
D2PAK
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD6NC60HD N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD6NC60HDT4 N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD7NC60HT4 N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP7NC60H N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP10NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMesh⑩ IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB20NC60V 功能描述:IGBT 晶體管 30 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20NC60VT4 功能描述:IGBT 晶體管 30 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20V60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:40ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STGB20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STGB25N40LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:435V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.25V @ 4V，6A 功率 - 最大值:150W 開關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯 柵極電荷:26nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:1.1μs/4.6μs 測試條件:300V，10A，1 千歐，5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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