參數(shù)資料
型號(hào)： STGB20NB41LZT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
中文描述： N通道鉗位20A條- DPAK封裝IGBT的內(nèi)部鉗位PowerMESH
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 258K
代理商： STGB20NB41LZT4
STGB20NB41LZ
8/9
TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix ”T4”)*
TUBE SHIPMENT (no suffix)*
D
2
PAK FOOTPRINT
* on sales type
DIM.
mm
inch
MIN.
MAX.
330
MIN.
MAX.
12.992
A
B
C
D
G
N
T
1.5
12.8
20.2
24.4
100
0.059
0.504
0795
0.960
3.937
13.2
0.520
26.4
1.039
30.4
1.197
BASE QTY
1000
BULK QTY
1000
REEL MECHANICAL DATA
DIM.
mm
inch
MIN.
10.5
15.7
1.5
1.59
1.65
11.4
4.8
3.9
11.9
1.9
50
0.25
23.7
MAX.
10.7
15.9
1.6
1.61
1.85
11.6
5.0
4.1
12.1
2.1
MIN.
0.413
0.618
0.059
0.062
0.065
0.449
0.189
0.153
0.468
0.075
1.574
0.0098 0.0137
0.933
MAX.
0.421
0.626
0.063
0.063
0.073
0.456
0.197
0.161
0.476
0.082
A0
B0
D
D1
E
F
K0
P0
P1
P2
R
T
W
0.35
24.3
0.956
TAPE MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD6NC60HD N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD6NC60HDT4 N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD7NC60HT4 N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP7NC60H N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP10NB37LZ N-CHANNEL CLAMPED 20A - TO-220 INTERNALLY CLAMPED PowerMesh⑩ IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB20NC60V 功能描述:IGBT 晶體管 30 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20NC60VT4 功能描述:IGBT 晶體管 30 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20V60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開(kāi)關(guān)能量:200μJ（開(kāi)），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:38ns/149ns 測(cè)試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:40ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STGB20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開(kāi)關(guān)能量:200μJ（開(kāi)），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:38ns/149ns 測(cè)試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STGB25N40LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:435V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.25V @ 4V，6A 功率 - 最大值:150W 開(kāi)關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯 柵極電荷:26nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:1.1μs/4.6μs 測(cè)試條件:300V，10A，1 千歐，5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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