參數(shù)資料
型號： STGB20NB41LZ
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
中文描述： N通道鉗位20A條- DPAK封裝IGBT的內(nèi)部鉗位PowerMESH
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 258K
代理商： STGB20NB41LZ
3/9
STGB20NB41LZ
DYNAMIC
Symbol
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS
Symbol
II
Latching Current
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
SWITCHING OFF
Symbol
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
t
c
t
r
(V
off
)
t
d
(
off
)
t
f
E
off
(**)
(1)Pulse width limited by max. junction temperature.
(**)Losses Include Also the Tail
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
C
ies
C
oes
C
res
Forward Transconductance
V
CE
= 25 V
,
I
C
=20 A
V
CE
= 25V, f = 1 MHz, V
GE
= 0
35
S
Input Capacitance
2300
pF
Output Capacitance
160
pF
Reverse Transfer
Capacitance
Gate Charge
25
pF
Q
g
V
CE
= 320V, I
C
= 20 A,
V
GE
= 5V
46
nC
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
40
Max.
Unit
A
V
Clamp
= 320 V, T
C
= 125
°
C
R
GOFF
= 1K
, V
GE
= 10 V
R
GOFF
=1K
, L = 1.6mH,
Tc=125
°
C
U.I.S.
Functional Test Open
Secondary Coil
20
A
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
CC
= 320 V, I
C
= 20 A
R
G
= 1K
, V
GE
= 5 V
V
CC
= 320 V, I
C
= 20 A
R
G
=1K
, V
GE
= 5 V
V
CC
= 320 V, I
C
= 20 A, Tc=25
°
C
R
G
=1K
, V
GE
= 5 V, Tc=150
°
C
1
0.22
μs
μs
Turn-on Current Slope
140
A/μs
Eon
Turn-on Switching Losses
5
mJ
5.1
mJ
Parameter
Test Conditions
V
cc
= 320 V, I
C
= 20 A,
R
GE
= 1K
, V
GE
= 5 V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Cross-over Time
4.4
μs
Off Voltage Rise Time
2.5
μs
Delay Time
12.1
μs
Fall Time
1.6
μs
Turn-off Switching Loss
12.9
mJ
Cross-over Time
V
cc
= 320 V, I
C
= 20 A,
R
GE
= 1 K
, V
GE
= 5 V
Tj = 125
°
C
6
μs
Off Voltage Rise Time
3.16
μs
Delay Time
13.4
μs
Fall Time
2.7
μs
Turn-off Switching Loss
18.4
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB20NB41LZT4 N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
STGD6NC60HD N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD6NC60HDT4 N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD7NC60HT4 N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP7NC60H N-CHANNEL 14A - 600V TO-220/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB20NB41LZT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20NC60V 功能描述:IGBT 晶體管 30 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20NC60VT4 功能描述:IGBT 晶體管 30 A 600V FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB20V60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:40ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STGB20V60F 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:200μJ（開），130μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:38ns/149ns 測試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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