參數(shù)資料
型號(hào)： STD110
英文描述： STD110|Data Sheet
中文描述： STD110 |數(shù)據(jù)資料
文件頁數(shù)： 637/862頁
文件大?。?/td> 3072K
代理商： STD110
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SEC ASIC
4-65
STD110
PSCKDCby
LVCMOS Level Input Clock Drivers
Switching Characteristics
(Typical process, 25
°
C, 2.5V, t
R
/t
F
= 3.00ns, SL: Standard Load)
PSCKDCU2
PSCKDCU4
PSCKDCU6
PSCKDCU8
Path
Parameter
Delay [ns]
SL = 2
0.181
0.140
0.810
0.879
<
Delay Equations [ns]
Group1*
0.174 + 0.003*SL
0.133 + 0.004*SL
0.807 + 0.001*SL
0.875 + 0.002*SL
Group2*
0.128 + 0.003*SL
0.100 + 0.004*SL
0.804 + 0.001*SL
0.873 + 0.002*SL
Group3*
0.102 + 0.003*SL
0.086 + 0.004*SL
0.802 + 0.001*SL
0.873 + 0.002*SL
PAD to Y
tR
tF
tPLH
tPHL
*Group1 : SL < 482, *Group2 : 482 <
Path
Parameter
Delay [ns]
SL = 2
0.243
0.179
1.055
1.117
<
Delay Equations [ns]
Group1*
0.240 + 0.002*SL
0.175 + 0.002*SL
1.053 + 0.001*SL
1.115 + 0.001*SL
Group2*
0.181 + 0.002*SL
0.124 + 0.002*SL
1.054 + 0.001*SL
1.112 + 0.001*SL
Group3*
0.141 + 0.002*SL
0.098 + 0.002*SL
1.052 + 0.001*SL
1.108 + 0.001*SL
PAD to Y
tR
tF
tPLH
tPHL
*Group1 : SL < 962, *Group2 : 962 <
Path
Parameter
Delay [ns]
SL = 2
0.301
0.221
1.255
1.315
<
Delay Equations [ns]
Group1*
0.299 + 0.001*SL
0.219 + 0.001*SL
1.254 + 0.000*SL
1.314 + 0.001*SL
Group2*
0.233 + 0.001*SL
0.158 + 0.001*SL
1.264 + 0.000*SL
1.311 + 0.001*SL
Group3*
0.187 + 0.001*SL
0.121 + 0.001*SL
1.261 + 0.000*SL
1.306 + 0.001*SL
PAD to Y
tR
tF
tPLH
tPHL
*Group1 : SL < 1443, *Group2 : 144 <
Path
Parameter
Delay [ns]
SL = 2
0.352
0.260
1.428
1.487
<
Delay Equations [ns]
Group1*
0.350 + 0.001*SL
0.258 + 0.001*SL
1.427 + 0.000*SL
1.486 + 0.000*SL
Group2*
0.282 + 0.001*SL
0.194 + 0.001*SL
1.446 + 0.000*SL
1.484 + 0.000*SL
Group3*
0.231 + 0.001*SL
0.148 + 0.001*SL
1.444 + 0.000*SL
1.479 + 0.000*SL
PAD to Y
tR
tF
tPLH
tPHL
*Group1 : SL < 1923, *Group2 : 1923 <
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PDF描述
STD110NH02LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-252AA
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STD12NF06T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252AA
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參數(shù)描述
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STD110N8F6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9130pF @ 40V 功率 - 最大值:167W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD110NH02L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 24V - 0.0044 ohm - 80A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STD110NH02L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0044ohm - 80A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET
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