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STD110NH02LT4	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 80A I(D) \| TO-252AA
STD111	STD111\|Data Sheet
STD12N05-1	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-251
STD12NF06T4	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-252AA
STD12N05L-1	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-251

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STD111|Data Sheet

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
STD110BLK	功能描述:LED 安裝硬件 .2" DIA X.11" BLACK RoHS:否制造商:Bivar 產(chǎn)品:LED Mounting Clips LED 大小:5 mm 材料:Nylon 顏色:Black 主體長(zhǎng)度:4.4 mm 面板厚度尺寸: 封裝:Bulk
STD110N02RT4G	功能描述:MOSFET NFET 24V SPCL TR RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD110N8F6	功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9130pF @ 40V 功率 - 最大值:167W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD110NH02L	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 24V - 0.0044 ohm - 80A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STD110NH02L_06	制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0044ohm - 80A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

參數(shù)描述

STD110BLK

功能描述:LED 安裝硬件 .2" DIA X.11" BLACK RoHS:否制造商:Bivar 產(chǎn)品:LED Mounting Clips LED 大小:5 mm 材料:Nylon 顏色:Black 主體長(zhǎng)度:4.4 mm 面板厚度尺寸: 封裝:Bulk

STD110N02RT4G

功能描述:MOSFET NFET 24V SPCL TR RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

STD110N8F6

功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9130pF @ 40V 功率 - 最大值:167W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1

STD110NH02L

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 24V - 0.0044 ohm - 80A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET

STD110NH02L_06

制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 24V - 0.0044ohm - 80A - DPAK STripFET TM III Power MOSFET

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