參數(shù)資料
型號(hào)： STB60NF06L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道60V的- 0.012歐姆-第60A條TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
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代理商： STB60NF06L
3/11
STB60NF06L STP60NF06L/FP
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V
35
220
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 48 V I
D
= 60 A V
GS
= 4.5V
35
10
20
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 30V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V
55
30
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
60
240
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 60A
V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 60 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
110
250
4.5
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Safe Operating Area for TO-220FP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP60NF06L N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STP60NF06LFP N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB60NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB6NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
STB6NA80 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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