參數(shù)資料
型號： STB60NF06L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道60V的- 0.012歐姆-第60A條TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/11頁
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代理商： STB60NF06L
STB60NF06L STP60NF06L/FP
2/11
THERMAL DATA
(#)Only for SMD,
When Mounted on 1 inch
2
FR-4 board, 2 oz of Cu.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25 °C unless otherwise specified)
OFF
ON
(1
)
DYNAMIC
D
2
PAK
TO-220
TO-220FP
Rthj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
1.36
5.0
°C/W
Rthj-amb
Rthj-pcb
T
l
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Junction-pcb
(#)
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
62.5
35
300
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
60
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 15V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
1
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
I
D
= 30 A
0.014
0.012
0.016
0.014
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
= 15 V
I
D
= 30 A
20
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
2000
360
125
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP60NF06L N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STP60NF06LFP N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220FP/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STB60NH02L N-CHANNEL 24V - 0.0085 ohm - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB6NA60 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STB6NA80 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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STB60NF06L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 60V - 0.012ヘ - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET
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STB60NF06T4 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB60NF10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100V - 0.019Ω - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFET? II Power MOSFET
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