參數(shù)資料
型號： STB5600
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： GPS RF FRONT-END IC
中文描述： GPS射頻前端IC
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 72K
代理商： STB5600
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Continued)
OUTPUT SECTION
Symbol
Parameter
Note
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
VCCDRIVE
Supply Current
V
VCCDRIVE
= 3 V
8
mA
V
OH
High output voltage
Vp = V
VCCDRIVE
= 3 V
Vp-0.4
Vp
V
V
OL
t
r
Low output voltage
Vn = GNDDRIVE
Vn
Vn+0.4
V
Rise Time
C
LOAD
= 7 pF
6
ns
t
f
Fall Time
C
LOAD
= 7 pF
2
ns
APPLICATION CIRCUIT
A typical application circuit is shown in figure 1. The RF input from the antenna downlead is fed via a
ceramic filter and matching circuit to the RF+,RF- pins. The external LNA in the antenna should have
between 10 and 35dB of amplifier gain, so thenoise measured in a one MHzbandwidth should be
-114dBm forkTB in 1 MHz
+ 2dB LNA noise figure
+10/35 dB LNA gain (net)
Total -102/77dBm at connector.
Allowing 2dB for filter loss, -104/-79is availableat the matchingcircuit.
Fig. 1 Typical Application Circuit
STB5600
5/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB5610 GPS RF FRONT-END IC
STB5NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STB5NA80 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
STB60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB60NE06L-16 N-Channel 60V-0.014Ω-60A-D2PAK “SINGLE FEATURE SIZETM” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB5600TR 功能描述:射頻無線雜項 GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5610 功能描述:射頻無線雜項 GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5610TR 功能描述:射頻無線雜項 GPS RF Front End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5701 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:350 to 400 MHz FSK/ASK receiver (ST-RECORD01 family)
STB57N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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