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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STB5600 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | GPS RF FRONT-END IC |
| 中文描述： | GPS射頻前端IC |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/10頁(yè) |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | STB5600 |
PIN CONFIGURATION
Apply 5V at the CE, V
CCRF
, V
CCIF
, V
CCLOGIC
pins, apply 3 V at the V
CCDRIVE
Pin
Symbol
Typ. DC Bias
Dexription
External circuit
1
IF1+
3.6 V
Mixer Output 1
see application circuit
2
IF1-
3.6 V
Mixer Output 2
see application circuit
3
V
CCRF
RF+
5 V
RF Power Supply
100 nF to V
EERF
AC Coupled
4
3.5 V
RF Input
5
RF-
3.5 V
RF Input
AC Coupled
6
V
CCRF
5 V
RF Power Supply
100 nF to VEERF
7
V
EERF
GNDRF
2 V
RF Voltage Reference
100 nF to VCCRF
8
0 V
RF Ground
9
V
CCRF
5 V
RF Power Supply
100 nF to VEERF
10
LO+
3.5 V
Local Oscillator Input
AC Coupled
11
LO-
3.5 V
Local Oscillator Input
AC Coupled
12
V
CCRF
5 V
RF Power Supply
100 nF to VEERF
13
V
CCLOGIC
5 V
Logic Power Supply
100 nF to VEELOGIC
14
80 MHz+
4 V
80 MHz Clock Input
AC Coupled
15
80 MHz-
4 V
80 MHz Clock Input
AC Coupled
16
V
CCLOGIC
5 V
Logic Power Supply
100 nF to VEELOGIC
17
V
EELOGIC
2 V
Logic Voltage Reference
100 nF to VCCLOGIC
18
CLOCK+
0.3 V or 3 V
16 MHz Clock CMOS Output
7 pF to GND
DRIVE
19
Not Connected
20
GND
DRIVE
0 V
CMOS Drive Ground
21
DATA
0.3 V or 3 V
4 MHz Data CMOS Output
7 pF to GND
DRIVE
22
GND
DRIVE
0 V
CMOS Drive Ground
23
V
CCDRIVE
CE
3 V
CMOS Drive Power Supply
24
3 V
Chip Enable
25
GND
0 V
Substrate Ground
26
GND
LOGIC
0 V
Logic Ground
27
GND
IF
0 V
IF Ground
28
V
EEIF
2 V
IF Voltage Reference
100 nF to VCCIF
29
V
CCIF
5 V
IF Power Supply
100 nF to VEEIF
30
IF2-
4 V
Limiting Amplifier Input
see application circuit
31
IF2+
4 V
Limiting Amplifier Input
see application circuit
32
V
CCIF
5 V
IF Power Supply
100 nF to VEEIF
STB5600
3/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB5610 | GPS RF FRONT-END IC |
| STB5NA50 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOSFET) |
| STB5NA80 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強(qiáng)模式功率ＭＯＳ晶體管) |
| STB60N06-14 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STB60NE06L-16 | N-Channel 60V-0.014Ω-60A-D2PAK “SINGLE FEATURE SIZETM” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB5600TR | 功能描述:射頻無(wú)線(xiàn)雜項(xiàng) GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
| STB5610 | 功能描述:射頻無(wú)線(xiàn)雜項(xiàng) GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
| STB5610TR | 功能描述:射頻無(wú)線(xiàn)雜項(xiàng) GPS RF Front End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
| STB5701 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:350 to 400 MHz FSK/ASK receiver (ST-RECORD01 family) |
| STB57N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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