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參數(shù)資料
| 型號： | STB5600 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | GPS RF FRONT-END IC |
| 中文描述： | GPS射頻前端IC |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | STB5600 |
ELECTRICALSPECIFICATION
(V
VCCRF
= 3.3 V ...5.9 V; V
VCCIF
= 3.3 V ...5.9V; V
VCC LOGIC
= 3.3 V
...5.9V V
VCCDRIVE
= 3 V; T
a
= 25
o
C unless otherwise specified)
LNA MIXER
Symbol
Parameter
Note
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
VCCRF
Supply Current
VVCCRF = 5 V
20
25
mA
Z
in
Differential Input
Impedance
@ 1575 MHz AC Coupled at RF+
RF- inputs
300
1
pF
Z
out
Differential Output
Impedance
@ 20 MHz AC Coupled at IF1+ IF1-
outputs
R
L
> 3K
,
P
IN
= -80 dBm
(V
in
= 75
μ
Vp on 300
)
(see application circuit)
70
3
pF
G
C
Voltage Conversion
Gain
Input Compression
Point (1dB)
Noise figure
35
dB
IIP1
-60
dBm
NF
5
dB
f
RF
Input Signal
Frequency (L1)
Output Signal
Frequency
1575
MHz
f
IF
20
MHz
LO INPUT BUFFER
Symbol
Parameter
Note
Min.
Typ.
Max.
Unit
pF
Z
in
Differential Input
Impedance
@ 1555 MHz AC Coupled at LO+
LO- inputs
300
1
Input Signal Level
-60
-40
-20
dBm
LIMITING AMPLIFIER
Symbol
Parameter
Note
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
VCCIF
Supply Current
VVCCIF = 5 V
2.5
3.5
mA
Z
in
Differential Input
Impedance
Bandwidth 3dB
@ 20 MHz AC Coupled at IF2+ IF2-
inputs
15
K
B
5
80
MHz
Sens
Limiter sensitivity
Input Signal @ 20 MHz AC Coupled
100
μ
Vp
Vp
V
INMAX
Maximum Input Signal
Input Signal @ 20 MHz AC Coupled
0.5
CLOCK INPUT BUFFER
Symbol
Parameter
Note
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
VCCLOGIC
Supply Current
VVCC LOGIC = 5 V
5
7
mA
Z
in
Differential Input
Impedance
@ 80 MHz AC Coupled at 8O MHz+
80 MHz- inputs
8
2
K
pF
Input Signal Level
@ 80 MHz AC Coupled at 8O MHz+
80 MHz- inputs
5
100
mVp
N
Division Ratio
5
STB5600
4/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB5610 | GPS RF FRONT-END IC |
| STB5NA50 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET) |
| STB5NA80 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管) |
| STB60N06-14 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STB60NE06L-16 | N-Channel 60V-0.014Ω-60A-D2PAK “SINGLE FEATURE SIZETM” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB5600TR | 功能描述:射頻無線雜項 GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
| STB5610 | 功能描述:射頻無線雜項 GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
| STB5610TR | 功能描述:射頻無線雜項 GPS RF Front End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
| STB5701 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:350 to 400 MHz FSK/ASK receiver (ST-RECORD01 family) |
| STB57N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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