參數(shù)資料
型號： STB5600
廠商： 意法半導體
英文描述： GPS RF FRONT-END IC
中文描述： GPS射頻前端IC
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 72K
代理商： STB5600
STB5600
GPS RF FRONT-END IC
I
ONE CHIP SYSTEM TO INTERFACE
ACTIVE ANTENNA TO ST20GP1
MICROCONTROLLER
I
COMPLETERECEIVER USING NOVEL
DUAL CONVERSION ARCHITECTURE WITH
SINGLE IF FILTER
I
MINIMUMEXTERNAL COMPONENTS
I
COMPATIBLE WITH GPS L1 SPS SIGNAL
I
INTERNALLY STABILISEDPOWER RAILS
I
CMOS OUTPUT LEVELS
I
FROM 3.3 TO 5.9V SUPPLY VOLTAGE
I
TQFP32 PACKAGE
DESCRIPTION
The STB5600, using STMicroelectronics HSB2,
High Speed Bipolar technology, implements a
Global PositioningSystem RF front-end.
The chipprovidesdown conversionfrom the GPS
(L1) signal at 1575 MHz via an IF of 20MHz to an
output frequency of 4MHz suitable for ST20GP1
GPS processor.
It uses a single external reference oscillator to
generate both RF local oscillator signals and the
processorreference clock.
PIN CONNECTION (top view)
August 1998
TQFP32
MARKING:
STB5600
TRACEAB. CODE
ASSY CODE
1/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB5610 GPS RF FRONT-END IC
STB5NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET)
STB5NA80 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(Ｎ溝道增強模式功率ＭＯＳ晶體管)
STB60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB60NE06L-16 N-Channel 60V-0.014Ω-60A-D2PAK “SINGLE FEATURE SIZETM” Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB5600TR 功能描述:射頻無線雜項 GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5610 功能描述:射頻無線雜項 GPS Front-End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5610TR 功能描述:射頻無線雜項 GPS RF Front End RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
STB5701 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:350 to 400 MHz FSK/ASK receiver (ST-RECORD01 family)
STB57N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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