參數資料
型號： STB4395A
廠商： 意法半導體
英文描述： CT2 RECEIVER/TRANSMITTER
中文描述： 第二代無線電話接收/發(fā)送器
文件頁數： 6/16頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： STB4395A
1 - PIN DESCRIPTION
(continued)
1.4- Digital,Signal and Control Pins
Pin
Symbol
18
DO
20
FSH
Description
Polarity
Receive Data Output
Data Slicer Time Constant Setting
(Fast/Slow/Hold)
Forces Data Slicer Reference Time Constant
to fast (STB4395A only)
VCO lock detect-all 3 PLL
Serial Synthesizer Data Input, 16 bits word
High: slow, tri-state: fast,
low: hold DO goes high on hold (see next table)
low: fast (overides FSH)
high: fast, slow or hold (set by FSH)
high for LOCK (all three PLL’s)
high for logic 1. Input sequence:
LO, D14, D13,...,D0. D14 is the MSB.
LO: logic 1 is low transmit power.
low to enable PRGD buffer
held high when no clocking,
clocks in data on positive edge
high for power up, low for standby
high for receive, low for transmit
9
FN
5
3
LOCK
PRGD
1
2
NPRGEN
PRGCLK
Serial Synthesizer Data Enable
Serial Data Clock
10
4
EN
Power Down all functions except Enable Buffer
Receive-Transmit Switch
NTXEN
The time constant of the data slicer is set through the pins FSH and FN for the STB4395Aand through
FSH onlyfor the STB4395(FNinternally connectedto High), as listed in the following table :
PIN
FN
High
Low
FSH
High
TriState
Low
Slow, DO active
Fast, DO active
Hold, DO high
Fast, DO active
Fast, DO active
Fast, DO high
1.5 - Power SupplyPins
Pin
64
48
11
49
53
62
32
45
17
54, 57
VPRF1 /VPRF2
23, 26
VPS1/ VPS2
63
36
38
13
52
22
Symbol
VND
VNIF
VNOSC
VNRF
VNPA
VPD
VPI
VPIF
VPO
Description
Negative supply for digital regulators, digital input and output buffers
Negative supply for IF regulators, data output buffer
Negative supply for the oscillator regulators + substrate
Negative supply RF regulators, quadrature input buffers
Negative supply for PA
Positive supply for digital circuitry
Positive supply for receive oscillator + charge pump
Positive supply for RX IF + baseband sections
Positive supply for transmit oscillator + charge pump
Positive supplies for RF front end
Positive supplies for ch. select oscillator + charge pump
Regulated negative supply for digital circuitry
Regulated negative supply for receive oscillator + charge pump
Regulated negative supply for RX IF + baseband sections
Regulated negative supply for transmit oscillator + charge pump
Regulated negative supply for RF front end
Regulated negative supply ch. select oscillator + charge pump
VRD
VRI
VRIF
VRO
VRRF
VRS
STB4395
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相關PDF資料
PDF描述
STB4395 CT2 Receiver/Transmitter(CT2接收器/發(fā)送器)
STB45N10L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB50NH02L N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB55NE06L N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
STB55NE06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
STB43N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB45N10L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB45N40DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB45N50DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB45N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1
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