參數資料
型號： STB4395A
廠商： 意法半導體
英文描述： CT2 RECEIVER/TRANSMITTER
中文描述： 第二代無線電話接收/發(fā)送器
文件頁數： 10/16頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： STB4395A
8 - TRANSCEIVER SECTION
Symbol
f
OP
Description
Min.
800
-1
Typ.
Max.
1000
1
Unit
MHz
kHz
kHz
dBm
dBm
dBm
Frequency Range
Channel Frequency Accuracy
Modulation Deviation (synchronised with72 Kbits/s data rate)
Output Power (300
balanced)high power mode
Sensitivity (source 300
balanced) for 1E-3 BER
Signal max. for1E-3 BER
0
18
P
OUTTX
13
-103
-105
0
8.1 - Receiver-InputSpecification
LNA, firstmixer and buffer
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
dB
dB
-
-
-
-
dB
dBm
dBm
Conversion voltage gain
Available conversion power gain
Input impedance
Output impedance
Source impedance
Load impedance
Noise figure
1dB compression point (input)
Third order intercept (input)
33.7
±
1.5
21.5
±
1.5
300
// 3pF
5k
// 3pF
300
// -3pF
5k
// -3pF
3.5
-24
-14
First IF amplifier, second mixer and buffer
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Units
dB
dB
-
-
-
-
dB
dBm
dBm
Conversion Voltage Gain
Available Conversion PowerGain
Input Impedance
Output Impedance
Source Impedance
Load Impedance
Noise Figure
1dB Compression Point (input)
Third Order Intercept (input)
22.0
±
1.5
16.3
±
1.5
700
// 2pF
2k
// 2pF
700
// -2pF
2.8k
// -2pF
6
-32
-22
Second IF amplifier
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
82
±
3
86
±
3
3
10k
// pF
1.1k
// 2F
2.2k
// -2pF
see App. Diag.
6
-108
Max.
Unit
dB
dB
MHz
-
-
-
Conversion Voltage Gain
Available Power Gain (to DISCO)
Bandwith (3dB)
Input Impedance
Output Impedance (to DISCO)
Source Impedance
Load Impedance (at DISCO)
Noise Figure
1dB Compression Point (input)
dB
dBm
STB4395
10/16
相關PDF資料
PDF描述
STB4395 CT2 Receiver/Transmitter(CT2接收器/發(fā)送器)
STB45N10L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB50NH02L N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB55NE06L N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
STB55NE06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
STB43N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB45N10L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB45N40DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB45N50DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB45N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1
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