參數(shù)資料
型號： STB4395A
廠商： 意法半導體
英文描述： CT2 RECEIVER/TRANSMITTER
中文描述： 第二代無線電話接收/發(fā)送器
文件頁數(shù)： 11/16頁
文件大小： 153K
代理商： STB4395A
8 - TRANSCEIVER SECTION
(continued)
Dataslicertime constants
Symbol
Slow
Fast
Hold Drift Rate60mV < signal< 100mV
For 33nF capacitorat SLTC
Parameter
Min.
Typ.
3*
130*
1
Max.
Unit
ms
μ
s
mV/ms
8.2 - Transmitter-Output Specification
Symbol
P
OUT
Output Power into300
balanced, high power mode
LO Rejection
Output Control Switch
Parameter
Min.
13
25
Typ.
Max.
Unit
dBm
dBC
dB
14
TXFLT/NTXFLT output
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
2
1.2
200
80
Max.
Units
k
k
mV
PP
mV
PP
Output Impedance
Load Impedance (external)
Voltage Out (channel frequency,application circuit of this D/S)
Voltage Out (channel frequency-300.8MHz, app. cct of this D/S)
8.3 - Synthesizer/Modulator/ChannelSelect Loop
8.3.1 - SynthesizerPhase Noise and Spurious
Phasenoise and spuriousare measuredat the RF outputs RF / NRF in transmitmode, no RF SAWfilter.
Phase Noise
(Average)
Offset Frequency from carrier
±
100kHz
±
500kHz
±
1MHz
±
10MHz
Min.
Typ.
-106
-121
-127
-145
Max.
Unit
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
Spurious
Offset Frequency from carrier
±
50kHz
±
100kHz
±
200kHz
±
200kHz to
±
10MHz
±
10MHz to
±
100MHz
Min.
Typ.
-55
-63
-70
-75
-40
Max.
Unit
dBc
dBc
dBc
dBc
dBc
8.3.2 - ChannelSelect Loop
Symbol
Frequency
Frequency Steps
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
MHz
kHz
channel - 150.4
50
STB4395
11/16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB4395 CT2 Receiver/Transmitter(CT2接收器/發(fā)送器)
STB45N10L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB50NH02L N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB55NE06L N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
STB55NE06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET)
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參數(shù)描述
STB43N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB45N10L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB45N40DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB45N50DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB45N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1
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