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參數(shù)資料
| 型號： | STB4395A |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | CT2 RECEIVER/TRANSMITTER |
| 中文描述： | 第二代無線電話接收/發(fā)送器 |
| 文件頁數(shù)： | 15/16頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | STB4395A |
9 - APPLICATIONS
9.1 - TypicalDC connection schemes
9.1.1 - InternalRegulator
The STB4395has built-ininternalregulatorswhich
allows 15mA to be usedfor externalcircuitry. The
output of this regulatoris -2.85Vwith respectto the
positive supply rail.
9.1.2 - ExternalRegulator
The STB4395will always generateits ownsupply
voltage(-2.85V with respect to V
P
), but the I/O
interfaces allow the STB4395 to swing its output
levelstothesupplyrails(V
P
toV
N
).Thesystemand
baseband controller can therefore be connected
from the same -unregulated- supply and be indi-
viduallyregulated, if required .
9.2 - Application Circuits
9.2.1 - Introduction
The STB4395makes use of some unusual circuit
configurations:
- TheSTB4395operatesfrompositiveground.The
decoupling of the supply lines should take into
account that the a.c. ground connectionswill be
reversed with respect to the baseband circuit
and/or the microcontroller. The use of multilayer
PCB is recommended.
- The filters have been adapted for the best per-
formance of the IC, although standardconfigura-
tions are also considered.
9.2.2 - FullyConfigured Applications Example
Figure 3 is a typical application circuit for a com-
plete system. Itshows the typical external compo-
nents to the circuit. As the reactance of the
componentsis critical in manylocations, theuse of
surfacemountedcomponentsisessential.Atypical
component list is also attached. It also shows the
typicalvalues for the the various VCO circuits.The
values are very dependenton layout.
C33
10n F
VN
VN
R1 2k
C1
56pF
C4
56pF
C7
56p F
C10
56pF
R2 2k
R4 2k
R7 2k
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
16
17
18
19
20
26
27
28
29
30
36
37
38
40
11
12
13
14
15
21
22
23
24
31
32
33
34
35
25
39
46
47
48
50
41
42
43
44
45
49
56
57
58
60
51
52
53
54
55
59
61
62
63
64
C17
100 nF
C16
2-6p F
C18 200nF
L3 15nH
L2 15nH
R12 50
C19
8.2nF
C15
82n F
L4
56
μ
H
R6 0
R5 0
R3 0
R11 6.8k
R10 6.8k
R9 6.8k
C8
0pF
C12
300pF
C13
300pF
C5
0pF
C2
0pF
C14
300pF
C11
10n F
R13
5.1k
R8
51
L1 330
μ
H
C3
10
μ
F
C6
100nF
C9
100 nF
VN
VP
VN
VN
C22
100nF
VN
C26
560pF
C34
10nF
10n F
C32
C38
100nF
R18
5
L10
8nH
L8
8nH
L7
10nH
L11
10n H
R21
0-10k
8.L5
C24 0pF
R15 2k
C37
2-6p F
L17 47nH
C36
5.6nF
C40
56nF
R25
L18 47nH
100
R24
5.1k
C46
100nF
VN
2-C41
C44
820pF
R26
10k
L22
10
μ
H
C47
C48
47pF
L23
10
μ
H
C49
47pF
C42
2-50p F
C45
820pF
C43
L19
L21 390nH
L20 390nH
R23
L16 270nH
L15 270nH
20
L13 750nH
L14 750nH
L9
8nH
L6
8nH
C27
0pF
R17
20
Approx values ofburied track
indu ctances to grou nd
C28
68p F
R19
27k
R20
27k
C31
20pF
L12
56
μ
H
C35
C28
68pF
C39
R22
10k
33nF
C20
R14
5.1k
C21
47nF
C23
4.7pF
C25
100nF
C16, C15, C19, C21, C23, C41, C45
provision forconnection to grou ndalso
SAW
866MHz
50
300
SAW
150.4MHz
7
a
7
a
STB4395A
TQFP64
(from above)
R16 4.7k
C29
100nF
NVBAT
VRD
NPRGEN
PRGCLK
PRGD
NTXEN
LOCK
I
Q
REFIQ
FN
EN
DO
FSH
RSSI
SYNCLK
1k
1k
4
Figure3
STB4395
15/16
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB4395 | CT2 Receiver/Transmitter(CT2接收器/發(fā)送器) |
| STB45N10L | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STB50NH02L | N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET |
| STB55NE06L | N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET) |
| STB55NE06 | N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強模式功率MOSFET) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STB43N65M5 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STB45N10L | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STB45N40DM2AG | 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STB45N50DM2AG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STB45N60DM2AG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 |
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