參數(shù)資料
型號(hào)： STB4395A
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CT2 RECEIVER/TRANSMITTER
中文描述： 第二代無線電話接收/發(fā)送器
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： STB4395A
1 - PIN DESCRIPTION
(continued)
1.2 - Pin List
(continued)
Pin
Name
46
NSAWO
47
SAWO
48
VNIF
49
VNRF
50
SAWI
51
NSAWI
52
VRRF
53
VNPA
54
VPRF1
55
NRF
56
RF
57
VPRF2
58
ADJPWR
59
SHAPE
60
TXFLT
61
NTXFLT
62
VPD
63
VRD
64
VND
Description
Ext. Connection and Suppl. Information
RX FirstIF Amplifier Input
RX FirstIF Amplifier Input
Negative Battery Supply Input for RX sections
Negative Battery Supply Input for RF front end
RX FirstMixer Output
RX FirstMixer Output
Regulated NegativeSupply for RF front end
Negative Supply for power amplifier
Positive Battery Supply for RF front end
Input LNA/Output PA
Input LNA/Ouput PA
Positive Battery Supply for RF front end
Transmit Power Adjust
Time Constant for PA on-off ramp
Bandpass Filter for TX RF
Bandpass Filter for TX RF
Positive Battery Supply for digital circuitry
Regulated NegativeSupply for digital circuitry
Negative Battery Supply for digital circuitry
R = 8.5k
to V
RRF
C = 560pF
1.3 - Analog and Filter Pins
Pin
58
28
31
27
42, 39
29
30
33
16
21
6, 7
40, 41
43, 44
8, 9
7
56, 55
37
50, 51
47, 46
59
19
12
60, 61
35, 34
14, 15
25, 24
Symbol
ADJPWR
BRF1
BRF2
BRF3
DEC, NDEC
DISCI
DISCO
FLTRI
FLTRO
FLTRS
I, NI(1)
IF2I, NIF2I
IF2O, NIF2O
Q, NQ(1)
REFIQ
RF, NRF
RSSI
SAWI, NSAWI
SAWO, NSAWO
SHAPE
SLTC
SYNCLK
TXFLT/ NTXFLT
VCOI, NVCOI
VCOO, NVCOO
VCOS, NVCOS
Description
Transmitter Output Power Adjust
Bit RateFilter1
Bit RateFilter 2
Bit RateFilter 3
RX IF2 Amplifier Decoupling
FM Discriminator Tank Circuit
FM Discriminator Tank Circuit
Loop Filter for RX PLL
Loop Filter for TX PLL
Loop Filter for Channel PLL
Transmit Quadrature Inputs ((1)STB4395 only)
Inputs from 2nd IF Filter
Outputs to2nd IF Filter
Q-Transmit Quadrature Input ((1)STB4395 only)
IQ Reference Quadrature Transmit Input (STB4395A only)
Input RX LNA/Ouput TX PA
Received SignalStrength Indicator Output
First Mixer Output
First IF Amplifier Input
Time Constant for PA on-off Ramp
Slicer Time Constant Capacitor
Synthesizer Clock Input 14.4MHz
Bandpass Filter for TX RF
Tank Circuit for 152.1MHz RX Oscillator
Tank Circuit for 300.8MHz TX Oscillator
Tank Circuit for 650 to 850MHz Channel Oscillator
STB4395
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB4395 CT2 Receiver/Transmitter(CT2接收器/發(fā)送器)
STB45N10L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB50NH02L N-CHANNEL 24V - 0.011ohm - 50A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
STB55NE06L N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
STB55NE06 N-Channel Enhancement Mode "SINGLE FEATURE SIZETM " Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB43N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:42A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4400pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB45N10L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STB45N40DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB45N50DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:84 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STB45N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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