參數(shù)資料
型號(hào)： STB35NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.030ohm - 40A至- 220 / D2PAK封裝，低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
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代理商： STB35NF10
7/10
STP35NF10
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.40
0.61
1.15
0.49
15.25
10
2.40
4.95
1.23
6.20
2.40
13
3.50
MAX.
4.60
0.88
1.70
0.70
15.75
10.40
2.70
5.15
1.32
6.60
2.72
14
3.93
MIN.
0.173
0.024
0.045
0.019
0.60
0.393
0.094
0.194
0.048
0.244
0.094
0.511
0.137
MAX.
0.181
0.034
0.066
0.027
0.620
0.409
0.106
0.202
0.052
0.256
0.107
0.551
0.154
A
b
b1
c
D
E
e
e1
F
H1
J1
L
L1
L20
L30
P
Q
16.40
28.90
0.645
1.137
3.75
2.65
3.85
2.95
0.147
0.104
0.151
0.116
TO-220 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB35NF10T4 THERMISTOR PTC 6V .35A RESETTABL
STP35NF10 N-CHANNEL 100V - 0.030ohm - 40A TO-220 / D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
STB3NA60-1 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB3NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STB3NA80T4 Resettable Fuse; Series:1210L; Thermistor Type:PTC; Operating Voltage Max:6VDC; Holding Current:0.35A; Tripping Current:0.7A; External Depth:0.85mm; Length:3.43mm; Initial Resistance Min:0.32ohm; Initial Resistance Max:1.3ohm RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB35NF10_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100V - 0.030Ω - 40A - D2PAK/TO-220 Low gate charge STripFET? II Power MOSFET
STB35NF10T4 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB-360S 制造商:HellermannTyton 功能描述:
STB36NF02L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 20V - 0.016 ohm - 36A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STB36NF02LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-263AB
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