參數(shù)資料
型號(hào)： SST29VE010A
廠商： Silicon Storage Technology, Inc.
英文描述： 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM
中文描述： 1兆位（128K的× 8）頁模式的EEPROM
文件頁數(shù)： 9/26頁
文件大?。?/td> 273K
代理商： SST29VE010A
9
1999 Silicon Storage Technology, Inc.
303-01 2/99
1 Megabit Page Mode EEPROM
SST29EE010A / SST29LE010A / SST29VE010A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
T
ABLE
8: C
APACITANCE
(T
a
= 25 °C, f=1 MHz, other pins open)
Parameter
Description
C
I/O(1)
I/O Pin Capacitance
C
IN(1)
Input Capacitance
Test Condition
V
I/O =
0V
V
IN =
0V
Maximum
12 pF
6 pF
Note:
(1)
This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
303 PGM T8.0
T
ABLE
9: R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
Symbol
N
END
T
DR(1)
V
ZAP_HBM(1)
Parameter
Endurance
Data Retention
ESD Susceptibility
Human Body Model
ESD Susceptibility
Machine Model
Latch Up
Minimum Specification
10,000
100
2000
Units
Cycles
Years
Volts
Test Method
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
JEDEC Standard A114
V
ZAP_MM(1)
200
Volts
JEDEC Standard A115
I
LTH(1)
100
mA
JEDEC Standard 78
Note:
(1)
This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
303 PGM T9.2
T
ABLE
7: P
OWER
-
UP
T
IMINGS
Symbol
T
PU-READ(1)
T
PU-WRITE(1)
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
Maximum
100
5
Units
μs
ms
303 PGM T7.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST29LE010 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM(1 M(128K x8)按頁存取模式EEPROM)
SST29VE010 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM(1 M(128K x8)按頁存取模式EEPROM)
SST29LE512-90-4I-PH 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM
SST29VE512-250-4C-EH 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM
SST29SF020-55-4C-NHE 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SST29VE020-200-4C-EH 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE020-200-4C-EHE 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE020-200-4C-NH 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE020-200-4C-NHE 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE020-200-4I-EH 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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