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參數(shù)資料
| 型號： | SST29VE010A |
| 廠商： | Silicon Storage Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
| 中文描述： | 1兆位（128K的× 8）頁模式的EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 10/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商： | SST29VE010A |
10
1999 Silicon Storage Technology, Inc.
303-01 2/99
1 Megabit Page Mode EEPROM
SST29EE010A / SST29LE010A / SST29VE010A
T
ABLE
11: SST29LE010A R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
SST29LE010A-150 SST29LE010A-200
Min
Max
150
150
150
60
0
0
30
30
0
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ(1)
T
OLZ(1)
T
CHZ(1)
T
OHZ(1)
T
OH(1)
Parameter
Read Cycle time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
Min
200
Max
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
200
200
100
0
0
50
50
0
303 PGM T11.0
AC CHARACTERISTICS
T
ABLE
10: SST29EE010A R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
SST29EE010A-90 SST29EE010A-120
Min
Max
90
90
90
40
0
0
30
30
0
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ(1)
T
OLZ(1)
T
CHZ(1)
T
OHZ(1)
T
OH(1)
Parameter
Read Cycle time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address
Change
Min
120
Max
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
120
120
50
0
0
30
30
0
303 PGM T10.0
T
ABLE
12: SST29VE010A R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
SST29VE010A-200 SST29VE010A-250
Min
Max
200
200
200
100
0
0
50
50
0
Symbol
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ(1)
T
OLZ(1)
T
CHZ(1)
T
OHZ(1)
T
OH(1)
Parameter
Read Cycle time
Chip Enable Access Time
Address Access Time
Output Enable Access Time
CE# Low to Active Output
OE# Low to Active Output
CE# High to High-Z Output
OE# High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
Min
250
Max
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
250
250
120
0
0
50
50
0
303 PGM T12.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST29LE010 | 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM(1 M(128K x8)按頁存取模式EEPROM) |
| SST29VE010 | 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM(1 M(128K x8)按頁存取模式EEPROM) |
| SST29LE512-90-4I-PH | 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29VE512-250-4C-EH | 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM |
| SST29SF020-55-4C-NHE | 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST29VE020-200-4C-EH | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4C-EHE | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4C-NH | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4C-NHE | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST29VE020-200-4I-EH | 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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