參數(shù)資料
型號： SST29VE010A
廠商： Silicon Storage Technology, Inc.
英文描述： 1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM
中文描述： 1兆位（128K的× 8）頁模式的EEPROM
文件頁數(shù)： 8/26頁
文件大?。?/td> 273K
代理商： SST29VE010A
8
1999 Silicon Storage Technology, Inc.
303-01 2/99
1 Megabit Page Mode EEPROM
SST29EE010A / SST29LE010A / SST29VE010A
T
ABLE
5: SST29EE010A DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
CC
= 5V±10%
Limits
Max
Symbol
I
CC
Parameter
Power Supply Current
Read
Min
Units
Test Conditions
CE#=OE#=V
IL,
WE#=V
IH
, all I/Os open,
Address input = V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min.,
V
CC
=V
CC
Max
CE#=WE#=V
IL,
OE#=V
IH,
V
CC
=V
CC
Max.
CE#=OE#=WE#=V
IH,
V
CC
=V
CC
Max.
30
mA
Write
Standby V
CC
Current
(TTL input)
Standby V
CC
Current
(CMOS input)
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
Supervoltage for A
9
Supervoltage Current
for A
9
50
3
mA
mA
I
SB1
I
SB2
50
μA
CE#=OE#=WE#=V
CC
-0.3V.
V
CC
= V
CC
Max.
V
IN
=GND to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
V
OUT
=GND to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
V
CC
= V
CC
Min.
V
CC
= V
CC
Max.
I
OL
= 2.1 mA, V
CC
= V
CC
Min.
I
OH
= -400μA, V
CC
= V
CC
Min.
CE# = OE# =V
IL
, WE# = V
IH
CE# = OE# = V
IL
, WE# = V
IH
,
A
9
= V
H
Max.
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
H
I
H
1
μA
μA
V
V
V
V
V
μA
10
0.8
2.0
0.4
2.4
11.6
12.4
100
303 PGM T5.1
T
ABLE
6: SST29LE010A/29VE010A DC O
PERATING
C
HARACTERISTICS
V
CC
= 3.0-3.6
FOR
SST29LE010A,
V
CC
= 2.7-3.6
FOR
SST29VE010A
Limits
Max
Symbol
I
CC
Parameter
Power Supply Current
Read
Min
Units
Test Conditions
CE#=OE#=V
IL,
WE#=V
IH
, all I/Os open,
Address input = V
IL
/V
IH
, at f=1/T
RC
Min.,
V
CC
=V
CC
Max
CE#=WE#=V
IL,
OE#=V
IH,
V
CC
=V
CC
Max.
CE#=OE#=WE#=V
IH,
V
CC
=V
CC
Max.
12
mA
Write
Standby V
CC
Current
(TTL input)
Standby V
CC
Current
(CMOS input)
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
Supervoltage for A
9
Supervoltage Current
for A
9
15
1
mA
mA
I
SB1
I
SB2
15
μA
CE#=OE#=WE#=V
CC
-0.3V.
V
CC
= V
CC
Max.
V
IN
=GND to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
V
OUT
=GND to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
V
CC
= V
CC
Min.
V
CC
= V
CC
Max.
I
OL
= 100 μA, V
CC
= V
CC
Min.
I
OH
= -100 μA, V
CC
= V
CC
Min.
CE# = OE# =V
IL
, WE# = V
IH
CE# = OE# = V
IL
, WE# = V
IH
,
A
9
= V
H
Max.
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
H
I
H
1
10
0.8
μA
μA
V
V
V
V
V
μA
2.0
0.4
2.4
11.6
12.4
100
303 PGM T6.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SST29LE010 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM(1 M(128K x8)按頁存取模式EEPROM)
SST29VE010 1 Mbit (128K x8) Page-Mode EEPROM(1 M(128K x8)按頁存取模式EEPROM)
SST29LE512-90-4I-PH 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM
SST29VE512-250-4C-EH 512 Kbit (64K x8) Page-Mode EEPROM
SST29SF020-55-4C-NHE 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
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參數(shù)描述
SST29VE020-200-4C-EH 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE020-200-4C-EHE 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE020-200-4C-NH 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE020-200-4C-NHE 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
SST29VE020-200-4I-EH 功能描述:閃存 256K X 8 200ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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