參數(shù)資料
型號(hào)： SI9803DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel Reduced Qg Fast Switching MOSFET
中文描述： P通道減少Q(mào)g和快速開(kāi)關(guān)MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： SI9803DY
Si9803DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
4
Document Number: 70638
S-49559—Rev. C, 11-Feb-98
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
T
J
– Temperature ( C)
Time (sec)
P
–0.4
–0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
–50
0
50
100
150
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0
2
4
6
8
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
2
1
0.1
0.01
I
D
= 5.9 A
I
D
= 250 A
0
0.4
10
0.8
1.2
1.0
1.4
1
10
–3
10
–2
1
10
30
10
–1
10
–4
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 50 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.01
0
0.1
80
100
20
40
60
1
10
30
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
40
V
V
G
0.2
0.6
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PDF描述
SI9804DY N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Si9910 Adaptive Power MOSFET Driver(可調(diào)功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器)
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