參數(shù)資料
型號(hào)： SI9803DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel Reduced Qg Fast Switching MOSFET
中文描述： P通道減少Q(mào)g和快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： SI9803DY
Si9803DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70638
S-49559—Rev. C, 11-Feb-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
1
P-Channel Reduced Q
g
, Fast Switching MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
–25
0.040 @ V
GS
= –4.5 V
5.9
0.060 @ V
GS
= –3.0 V
4.8
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S S S
G
D
D
D
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–25
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
5.9
A
T
A
= 70 C
4.7
Pulsed Drain Current
I
DM
40
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
–2.1
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.5
W
T
A
= 70 C
1.6
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
50
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
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PDF描述
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