參數(shù)資料
型號： SI9803DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel Reduced Qg Fast Switching MOSFET
中文描述： P通道減少Q(mào)g和快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 51K
代理商： SI9803DY
Si9803DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70638
S-49559—Rev. C, 11-Feb-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
3
0
8
16
24
32
40
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
4
8
12
16
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
–50
0
50
100
150
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0
8
16
24
32
40
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
4
8
12
16
20
0
8
16
24
32
40
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
125 C
C
rss
C
oss
C
iss
V
GS
= 4.5 V
T
C
= –55 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.9 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.9 A
V
GS
= 5.5 thru 3.5 V
2.5 V
3 V
25 C
V
GS
= 3 V
2 V
1.5 V
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PDF描述
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