參數(shù)資料
型號(hào)： SI9801DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-/P-Channel, Reduced Qg, Fast Switching Half-Bridge
中文描述： N-/P-Channel，，快速切換減少一半Qg和橋
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 71K
代理商： SI9801DY
Si9801DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
5-4
Document Number: 70712
S-61825—Rev. C, 16-Aug-99
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.15
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
T
J
– Temperature ( C)
Time (sec)
P
–0.6
–0.4
–0.2
–0.0
0.2
0.4
–50
0
50
100
150
0
0.03
0.06
0.09
0.12
0
2
4
6
8
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
2
1
0.1
0.01
I
D
= 4.5 A
I
D
= 250 A
0
0.4
10
0.8
1.2
1.4
1
10
–3
10
–2
1
10
30
10
–1
10
–4
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 62.5 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.01
0
0.1
40
50
10
20
30
1
10
30
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
20
V
V
0.2
0.6
1.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9802DY Dual N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Si9910DY-T1 Paired Cable; Number of Conductors:24; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:12; Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
Si9910DJ Adaptive Power MOSFET Driver1
Si9910DY Adaptive Power MOSFET Driver1
SI9910 Adaptive Power MOSFET Driver1
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI9802DY 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9803DY 功能描述:MOSFET 25V 5.9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9804DY 功能描述:MOSFET 25V 7.8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9804DY-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SO
SI9806DY 功能描述:MOSFET 25V 7/1.8 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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