參數(shù)資料
型號： SI9801DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-/P-Channel, Reduced Qg, Fast Switching Half-Bridge
中文描述： N-/P-Channel，，快速切換減少一半Qg和橋
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： SI9801DY
Si9801DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70712
S-61825—Rev. C, 16-Aug-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
5-3
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
–
V
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
–
r
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
1
2
3
4
5
6
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
–50
0
50
100
150
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
4
8
12
16
20
0
300
600
900
1200
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
125 C
C
rss
C
oss
C
iss
V
GS
= 4.5 V
T
C
= –55 C
V
DS
= 3.5 V
I
D
= 0.8 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 4.5 A
V
GS
= 5, 4.5 thru 3 V
2.5 V
25 C
V
GS
= 3 V
2 V
1.5 V
相關PDF資料
PDF描述
SI9802DY Dual N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Si9910DY-T1 Paired Cable; Number of Conductors:24; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:12; Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
Si9910DJ Adaptive Power MOSFET Driver1
Si9910DY Adaptive Power MOSFET Driver1
SI9910 Adaptive Power MOSFET Driver1
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI9802DY 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9803DY 功能描述:MOSFET 25V 5.9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9804DY 功能描述:MOSFET 25V 7.8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9804DY-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SO
SI9806DY 功能描述:MOSFET 25V 7/1.8 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*