參數(shù)資料
型號(hào)： SI9802DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： 雙N溝道減少Q(mào)g和，快速開(kāi)關(guān)MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： SI9802DY
Si9802DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70625
S-51303—Rev. A, 19-Dec-96
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
1
Dual N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
20
0.055 @ V
GS
= 4.5 V
4.5
0.075 @ V
GS
= 3.0 V
3.8
S
1
D
1
G
1
D
1
S
2
D
2
G
2
D
2
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
N-Channel MOSFET
D
1
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
D
2
D
2
G
2
S
2
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
4.5
A
T
A
= 70 C
3.6
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
25
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.7
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2
W
T
A
= 70 C
1.3
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
62.5
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si9910DY-T1 Paired Cable; Number of Conductors:24; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:12; Leaded Process Compatible:Yes; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
Si9910DJ Adaptive Power MOSFET Driver1
Si9910DY Adaptive Power MOSFET Driver1
SI9910 Adaptive Power MOSFET Driver1
Si9910DJ-T1 Adaptive Power MOSFET Driver1
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI9803DY 功能描述:MOSFET 25V 5.9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9804DY 功能描述:MOSFET 25V 7.8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9804DY-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, SO
SI9806DY 功能描述:MOSFET 25V 7/1.8 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9910 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Adaptive Power MOSFET Driver1
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